跳票三年 三星3nm GAA工艺2024年才能量产:大战台积电2nm

日前三星联合Synopsys宣布3nm GAA工艺已经流片成功,这是全球首个GAA晶体管工艺流片,意义重大。然而三星并没有。

日前三星联合Synopsys宣布3nm GAA工艺已经流片成功,这是全球首个GAA晶体管工艺流片,意义重大。

然而三星并没有透露3nm GAA工艺何时量产,这是最关键的部分。

日前有分析师援引高通高管之前的一个表态,认为2023年才会有3nm GAA工艺的芯片问世,但更现实的时间点是2024年,也是说要到3年后才能量产。

三星早在2019年公布3nm GAA工艺的PDK规范时就表示,预计3nm GAA工艺会在2020年底试产,2021年量产——现在来看,三星太乐观了,3nm GAA工艺跳票了三年时间。

往好的方面看,3nm工艺用上GAA晶体管技术之后,变化还是值得期待的,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

坏消息是,三星3nm GAA工艺假如拖到2024年才能量产,那时候台积电的2nm工艺也差不多量产了,同样用上了GAA晶体管技术,三星超越台积电的愿望恐怕要收到打击了。

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